据外媒报道，近日，日本三菱电机公司（Mitsubishi Electric Corporation）宣布推出N系列1200V碳化硅 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），该产品功率损耗低且自接通耐受性高，还可以帮助降低功耗，实现电动汽车（EV）车载充电器、光伏电力系统等供电系统（需要转换高压）的小型化，产品样品将于今年7月开始发货。

　　三菱电机还将在大型贸易展会上展示其新款N系列1200V SiC-MOSFET，包括将于11月16日至18日在中国上海举办的2020 PCIM Asia（上海国际电力元件、可再生能源管理展览会）上进行展示。

　　产品特点：

　　1、  降低功耗，实现供电系统的小型化

　　A、结型场效应晶体管（JFET）掺杂技术既降低了1200V SiC-MOSFET的开关损耗和导通电阻，还让其达到行业领先的品质因数（FOM）——1,450mΩ·nC。与采用传统的硅绝缘栅门极晶体管（Si-IGBT）相比，用于供电系统的1200V SiC-MOSFET的功耗降低了约85%。

　　B、通过降低镜面电容（在MOSFET结构中，栅极和漏极之间存在的杂散电容），与竞争对手的产品相比，1200V SiC-MOSFET的自接通耐受性提高了14倍。因此，可实现快速的开关操作，降低开关损耗。

　　C、由于降低了开关功率损耗，通过驱动具有更高载频的功率半导体，得以实现冷却系统及周边部件（如反应器）的小型化和简单化，从而有助于降低整个供电系统的成本的尺寸。

　　2、  有六款1200V SiC-MOSFET，包括符合AEC-Q101规格的型号，适用于各种应用

　　A、N系列1200V SiC-MOSFET产品包括符合美国汽车电子委员会AEC-Q101规格的型号，因此，该产品不仅适用于光伏系统等工业应用，也可用于电动汽车车载充电器。

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